Мазкур битирув ишида яримўтказгичлик хоссасига эга бўлган янги типдаги моддани ўстириш технологиясини ва унинг тузилиши, электрофизик хоссаларини ўрганиш мақсад қилиб қўйилган. Бундай модда арсенид галлий монокристалидан иборат тагликда суюқ фазадан эпитаксия усули билан ўстирилган арсенид галлий цинк селен, қаттиқ қоришмаси қатламларидан иборат (GaAS)1-x(ZnSe)x.
Ko'chirish: Имонқулов Н..pdf 673.22 Kb
